站搜网6月15日消息，三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD，64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片，数据传输速度达1Gbps，具有业界最短的500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），比典型的10纳米（nm）级的平面NAND闪存快约四倍，比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍
站搜网6月15日消息，三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。
三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD，64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片，数据传输速度达1Gbps，具有业界最短的500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），比典型的10纳米（nm）级的平面NAND闪存快约四倍，比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。
三星表示，与之前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外，64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了约30%。此外，新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。
三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
标签: 三星 宣布 量产 64层 V-NAND 闪存 芯片 传输 速度
声明：本文内容来源自网络，文字、图片等素材版权属于原作者，平台转载素材出于传递更多信息，文章内容仅供参考与学习，切勿作为商业目的使用。如果侵害了您的合法权益，请您及时与我们联系，我们会在第一时间进行处理！我们尊重版权，也致力于保护版权，站搜网感谢您的分享！
