站搜网1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上，三星宣布了5/4/3nm工艺技术。据今日Tom's Hardware带来的消息，三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片
站搜网1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上，三星宣布了5/4/3nm工艺技术。据今日Tom's Hardware带来的消息，三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。
除此之外，三星方面还表示，将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。在去年，三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或称“环绕式结构FET”）工艺。不过包括Garner副总裁Samuel Wang在内的一些业内人士，对GAAFET芯片是否能在2022年前投入生产表示了怀疑。
虽然台积电、格罗方德Global Foundries）在EUV芯片开发上方面并不落后，但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了EUV掩膜检测工具，只是尚未开发出类似的商业工具。
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